三星ダイヤモンド工業株式会社 | MDI MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.

DL
Series
All-in-One Machine
Small Footprint
Eco-Friendly

環境に優しく
無駄がない
速くて、高品質

What is Dialogic

ダイヤロジックとは

MDIが長年培ってきた技術を
半導体製造に応用

創業以来の MDI 独自技術の
SnB(スクライブ & ブレーク)工法を
最先端の半導体デバイスの
チップ化工程に応用しました。
これにより従来工法における
多くの課題を解決し
高生産性、高精度、低コストで
環境にやさしい半導体デバイス製造が
実現できます。

Only one
Technology

SnBがもたらす
4つの価値

SnB工法とは、ガラスなどの脆性材料の割断に用いられる加工方法である『スクライブ & ブレーク(Scribe and Break)加工』の略称です。液晶ガラス基板などの硬脆性材料の割断にも広く用いられてきましたが、MDIでは独自のスクライビングホイールの開発を行い、化合物半導体材料の割断に応用範囲を拡げました。

  • No Kerf Loss
    No Kerf Loss
    カーフロスゼロによるチップ収率の向上
  • High Quality
    High Quality
    高品質・高水準
  • High Productivity
    High Productivity
    効率よくハイスピードな生産
  • Dry Process
    Dry Process
    水を一切使用しない
No Kerf Loss

No Kerf Loss

カーフロスゼロによる
チップ収率の向上

スクライビングホイールによるSnB加工では、スクライビングによるグルーブ幅(塑性変形領域の一部)が約5μm程度です。そのため、半導体・電子部品では基板のストリート幅を狭くすることができ、基板1枚当たりの製品取数を増加させることが可能です。 ※ストリート幅は30μm以下にも対応可能

工法ごとのカーフロス比較

Blade Dicing
Kurf 50 μm
Saw Street : 80μm
Laser Stealth Dicing (SD)
Kurf 40% of Thickness
Saw Street : 100-150μm
Laser Ablation
(Full Cut)
Kurf 30 μm
Saw Street : 200μm
SnB
Kurf 0 μm
Saw Street : 30μm
High Quality

High Quality

SnB工法は割断法であるため、基板へのダメージはスクライビングによる加工痕のみです。断面は平滑な破断面を持つため、他の個片化法と比べて断面にクラックが発生しにくく、製品(チップ)の抗折強度が高くなります。 ※結晶構造を持つ基材の場合、断面は劈開面となり結晶構造が保持されているため、サイドクラックが発生しません

断面図

Blade Dicing
Cross Section
Laser Stealth Dicing (SD)
Cross Section
Laser Ablation
(Full Cut)
Cross Section
SnB
Cross Section
Example
  • SiC
    Process : Scribing Wheel
    Cutting Size : 1mm×1mm
    Thickness : 350μm
  • GaAs
    Process : Scribing Wheel
    Cutting Size : 1.5mm×1.5mm
    Thickness : 350μm
  • GaN
    Process : Scribing Wheel
    Cutting Size : 1.5mm×1.5mm
    Thickness : 350μm
  • Glass
    Process : Scribing Wheel
    Cutting Size : 1mm×1mm
    Thickness : 0.36mm
Material
Glass、化合物半導体(SiC, GaN, Ga2O3, GaAs, InP)、セラミック(HTCC, LTCC, MLCC)、AIN, Sapphire など
自社で作る高品質な
スクライビングホイール
ガラスのスクライビング用工具(ホイール)は超硬合金製が一般的でした。ホイールの寿命を延ばすために、PCD(ダイヤモンド焼結体)をベースとしたホイールを開発しました。PCD(Polycrystalline Diamond)は多結晶ダイヤモンドの粉末をコバルトなどの金属をバインダーとして高圧下で焼き固めたものです。多結晶ダイヤモンドの粒径、バインダーの種類・割合、製造方法などでさまざまな特徴(物性)を持ちます。硬度や靭性などスクライビングに適した素材を探索してきました。
また、PCDよりスクライビング用として適している新素材についてもホイールの性能向上という視点で探索をし続けています。
High Productivity

High Productivity

全自動加工

All-in-One Machine

スクライブ、ブレークユニットを
合体したフルオートメーション装置

Cassette LD/ULD Unit
カセットローダー/アンローダーユニット
  • Capacity : 2 cassettes
ウエハの入ったカセットをローダーユニットにセット。
Transfer Unit
搬送ユニット
  • Full / Partial Wafer
  • Wafer Outline Measurement
搬送ユニットによって、スクライブユニットへ。
Scribe Unit
スクライブユニット
  • Scribe
  • Auto Tool Change
  • Automatic Callibration
スクライブユニットでスクライビングが行われます。
Film Lamination Unit
フィルムラミネーションユニット
  • Protection-film Lamination
フィルムラミネーションユニットへ移動し、保護フィルムが貼られます。
Transfer Unit
搬送ユニット
  • Flip Wafer
  • Wafer Outline Measurement
搬送ユニットでウエハ反転後、ブレークユニットへ。
Break Unit
ブレークユニット
  • Break
ブレークユニットでブレイキングが行われます。
Transfer Unit
搬送ユニット
  • Flip Wafer
  • Protection-film De-lamination
ブレイキング後、搬送ユニットにてウエハ反転、保護フィルム剥がしが行われます。
FLOW PROCESS FLOW PROCESS FLOW PROCESS FLOW PROCESS FLOW PROCESS FLOW PROCESS

SnB工法のスクライビング加工速度は100mm/secと高速です。時間当たりの処理基板枚数を多くすることで、生産に必要な装置台数を抑えることが可能です。

Scribing Speed

5-10mm/sec
Blade Dicing
87.5mm/sec
Laser Stealth Dicing
30mm/sec
Laser Ablation
100mm/sec
Scribe and Break
ダイサイズが小さくなる程、
SnBは優位になります。

Number of Die per Wafer

No Die Size Blade Dicing SnB
Saw Street (w) 80 μm 30 μm
1 0.75mm 23,936 pcs 27.144 + 13.4%
2 1.00mm 14,076 pcs 14.076 + 10.1%
3 1.50mm 6,536 pcs 6,964 + 6.5%
Dry Process

Dry Process

半導体製造工程では多くの水を必要としますが、SnB工法は基本的に水を使用しないドライプロセスです。貴重な水資源を使用しない環境に優しい加工方法で、洗浄水供給や排水処理用の付帯設備も不要、コストを抑えることができます。

ウエハ一枚あたりの使用量

0L
Scribe and Break
DIW : 6-7 L/min
Blade Dicing

Lineup

製品ラインナップ
  • Ring Size
  • Wafer Size
  • Dimensions
  • Weight
  • Power Supply
DL
Series
  • Ring Size
  • 12Inch
  • 8Inch
  • Wafer Size
  • Max.
    300 mm
  • Max.
    200 mm
  • Dimensions
  • 1,760(W)×
    3,350(D)×
    2,035(H) mm
  • 1,580(W)×
    3,090(D)×
    2,035(H) mm
  • Weight
  • 5,500 kg
  • 4,500 kg
  • Power Supply
  • 3 Ph AC200~220V±10%
    0/60 Hz 50 A
DS
Series
  • Ring Size
  • 12Inch
  • 8Inch
  • Wafer Size
  • Max.
    300 mm
  • Max.
    200 mm
  • Dimensions
  • 1,130(W)×
    1,800(D)×
    1,840(H) mm
  • Weight
  • 1,420 kg
  • Power Supply
  • 3 Ph AC200~220 V±10%
    50/60 Hz 20 A
DB
Series
  • Ring Size
  • 12Inch
  • 8Inch
  • Wafer Size
  • Max.
    300 mm
  • Max.
    200 mm
  • Dimensions
  • 1,130(W)×
    1,800(D)×
    1,840(H) mm
  • Weight
  • 1,700 kg
  • Power Supply
  • 3 Ph AC200~220 V±10%
    50/60 Hz 20 A
DR
Series
  • Ring Size
  • 12Inch
  • 8Inch
  • Wafer Size
  • Max.
    150 mm
  • Max.
    100 mm
  • Dimensions
  • 1,450(W)x
    2,150(D)x
    1,850(H) mm
  • 1,400(W)x
    2,100(D)x
    1,850(H) mm
  • Weight
  • 1,600 kg
  • 1,500 kg
  • Power Supply
  • 3 Ph AC200~220 V±10%
    50/60 Hz 40 A