【講演】 砥粒加工学会 次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会 第108回研究会講演のお知らせ

(公社)砥粒加工学会 次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会 第108回研究会『次世代パワー半導体材料のスライシング・ダイシング技術』

― SiC, GaNの切断／割断技術 ―

5G関連などの情報通信機器分野や，中国，欧州における自動車・電装分野の需要増加などもあり、パワー半導体市場が大幅に増加している中、SiC，GaN，Ga2O3等の次世代パワー半導体材料は、今後大きな伸びを見込まれています。

今回、その次世代パワー半導体材料の切断/割断技術に注目し、最新のスライシング，ダイシング技術をテーマにした講演会で、三星ダイヤモンド工業株式会社が講演を行います。

■講演内容
タイトル：割断を応用した化合物半導体(SiC)の結晶へき開型切断加工
講演者：三星ダイヤモンド工業株式会社　北市充

■講演会概要
● 日　時　　　　：2023年4月14日（金）　13：00～17：00
● 場　所　　　　：TKP東京駅大手町カンファレンスセンター　カンファレンスルーム22A
● 講演プログラム　：https://www.jsat-sf.jp/Announcement/第108回研究会開催案Final.pdf

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