【講演】株式会社技術情報協会 『半導体ダイシングの低ダメージ化と最新動向』

三星ダイヤモンド工業株式会社は、2024年7月2日（火）株式会社技術情報協会 『半導体ダイシングの低ダメージ化と最新動向』にて講演を行います。近年、化合物半導体（SiC）を使用したパワーデバイスの需要が拡大しています。
SiCウェハの切断速度向上に対する要求もますます高まっており、従来のダイシング手法とは全く異なる加工メカニズムによる新規切断技術が望まれています。本セミナーでは、高速切断が可能、カーフロスが発生しない、完全ドライプロセスであることを特長とするスクライブ&ブレイクについて、加工原理、SiCウェハの切断加工への応用、加工品質をご紹介します。
ぜひご参加ください。

■講演内容
タイトル
『化合物半導体 (SiC) の結晶へき開型切断加工』
講演者：三星ダイヤモンド工業株式会社　三澤　明日香

■講演会概要
● 日　時　　　　：2024年7月2日（火）　10：30～16：00　
● 会　場　　　　：Zoomを利用したLive配信　※会場での講義は行いません
● 株式会社 技術情報協会URL　：http://www.jlps.gr.jp/index.html
 

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