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【講演】株式会社技術情報協会主催 「半導体ダイシングの低ダメージ化技術」講演のお知らせ

 

三星ダイヤモンド工業株式会社は、2023年6月12日(月)、株式会社技術情報協会主催による「半導体ダイシングの低ダメージ化技術」にて、Live配信セミナーでの講演を行います。

講演内容

タイトル:化合物半導体(SiC)の結晶へき開型切断加工(13:40 ~ 14:40)

講演者:三星ダイヤモンド工業株式会社 北市 充

パワー半導体におけるエネルギーロスの低減やデバイス小型化の実現のため化合物半導体を使用した次世代パワー半導体(SiC)が注目されています。

しかしながらSiCウェハは高硬度のため、従来加工技術では多大な時間がかかることが課題であり、その改善要求が高まっています。

本セミナーでは高速切断が可能、カーフロスが発生しない、完全ドライプロセスであるスクライブ&ブレイクを応用したSiCウェハのチップ化について加工原理から説明し、加工品質に関する分析結果までを述べる内容となります。

ぜひご参加ください。

 

講演会概要
● 日 時    :2023年 6月12日(月) 10:00 ~ 17:00
● 場 所    :Zoomを利用したLive配信(下記リンクから申し込み)
● 株式会社技術情報協会の講演ページ:https://www.gijutu.co.jp/doc/s_306422.htm

● 株式会社技術情報協会:https://www.gijutu.co.jp/index.htm

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