【講演】Silicon Carbide　（SiC）　Materials ＆　Devices　Workshop　2024

三星ダイヤモンド工業株式会社は、2024年8月12日（月）～13日（火）に、アメリカのArkansas大学主催のSiCワークショップにて、化合物半導体デバイスウエハーの切断技術について講演を行います。

■Silicon Carbide　（SiC）　Materials ＆　Devices　Workshop　

● 会　場　　：UNIVERSITY　OF ARKANSAS（アーカンソン州）フェイエットビル
● 会　期　　：2024年8月12日（月）～13日（火）

■講演情報
講演タイトル：New and Innovative die singulation technology for Compound Semiconductors with Zero kerf loss and completely no damage on the side wall
講演者：潮先 吉郎 (SHIOSAKI YOSHIRO)

詳細はこちら　　：http://www.jlps.gr.jp/index.html

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